对还原氮化制备氮化钒的过程进行了理论分析和实验探讨。结果表明 ，五氧化二钒还原过程中同时发生了直接还原和间接还原 ，在高温氮化条件下已生成的氮化钒又转化为碳化钒。本试验条件下直接还原的开始温度为 65 6K ，氮化的开始温度为 1 1 60K ，氮化钒转化为碳化钒的温度为 1 5 60K。间接还原发生的可能性与配碳系数有关 ，配碳系数越大 。
以V_(2)O_(5)为钒源，Zn粉为还原剂，采用化学法制备
以V_(2)O_(5)为钒源，五氧化二钒生产厂家，Zn粉为还原剂，采用化学法制备V(OH)_(3)前驱体，通过热分解前驱体制备V_(2)O_(3)粉体。探讨了pH值、前驱体沉淀时间和温度、还原时间和温度对V_(2)O_(3)粉体纯度和产率的影响。通过TG-DTA、化学滴定、XRD、SEM分析了V(OH)_(3)前驱体分解温度、V_(2)O_(3)产品的纯度、物相和形貌。结果表明:在约463℃前驱体V(OH)_(3)开始分解，在pH值为5.2、前驱体沉淀时间为60 min、前驱体沉淀温度为40℃、还原时间10 min、还原温度20℃的条件下，生产五氧化二钒，V_(2)O_(3)粉体的纯度可以达到98.8%，产率为88.5%，所制备的产物是一种以棒状为主，结晶性好、纯度高的黑色晶体粉末。
铜掺杂五氧化二钒的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料.扫描电镜显示，300℃时制备的样品具有多孔特征，而600℃时制备的样品具有很高的结晶度.X射线研究表明，五氧化二钒，少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，300℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160mAh·g-1的可逆比容量，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，但该材料在C/1.9倍率时仍具有100mAh·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.
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